| 描述 | MOSFET N-CH 450V 4.9A I2PAK | FET 类型 | N 通道 |
|---|---|---|---|
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 漏源电压（Vdss） | 450 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4.9A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.2 欧姆 @ 2.9A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250μA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | 45 nC @ 10 V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 680 pF @ 25 V | FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | - | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | I2PAK |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA |
【International Rectifier】IRF7350PBF,MOSFET N+P 100V 1.5A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7350TRPBF,MOSFET N/P-CH 100V 2.1A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7351PBF,MOSFET N-CH 60V 8A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7351TRPBF,MOSFET N-CH DUAL 60V 8A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7353D1,MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7353D1PBF,MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7353D1TR,MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
