描述 | MOSFET N+P 30V 5.3A 8-SOIC | FET 特点 | 逻辑电平门 |
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漏极至源极电压(Vdss) | 30V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 7.3A,5.3A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 29 毫欧 @ 5.8A,10V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 1V @ 250?A |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 33nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 650pF @ 25V |
功率 - 最大 | 2.5W | 安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 供应商设备封装 | 8-SO |
包装 | 管件 |
【International Rectifier】IRF7389TR,MOSFET N+P 30V 5.3A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7389TRPBF,MOSFET N+P 30V 5.3A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7401PBF,MOSFET N-CH 20V 8.7A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7401TRPBF,MOSFET N-CH 20V 8.7A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7402PBF,MOSFET N-CH 20V 6.8A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7402TR,MOSFET N-CH 20V 6.8A 8-SOIC