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IRF7421D1

描述MOSFET N-CH 30V 5.8A 8-SOICFET 特点二极管(隔离式)
漏极至源极电压(Vdss)30V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C5.8A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C35 毫欧 @ 4.1A,10VId 时的 Vgs(th)(最大)1V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs27nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds510pF @ 25V
功率 - 最大2W安装类型表面贴装
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)供应商设备封装8-SO
包装管件其它名称*IRF7421D1

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