| 描述 | MOSFET N-CH 450V 8.8A I2PAK | FET 类型 | N 通道 |
|---|---|---|---|
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 漏源电压（Vdss） | 450 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 8.8A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 630 毫欧 @ 5.3A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250μA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | 80 nC @ 10 V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1400 pF @ 25 V | FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | - | 工作温度 | - |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | I2PAK |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA |
【International Rectifier】IRF7450,MOSFET N-CH 200V 2.5A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7450PBF,MOSFET N-CH 200V 2.5A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7450TR,MOSFET N-CH 200V 2.5A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7450TRPBF,MOSFET N-CH 200V 2.5A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7451,MOSFET N-CH 150V 3.6A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7451TR,MOSFET N-CH 150V 3.6A 8-SOIC
