| 描述 | MOSFET N-CH 200V 1.2A 8-SOIC | FET 特点 | 标准型 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 200V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 1.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 730 毫欧 @ 720mA，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 5.5V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 14nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 280pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 2.5W | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 供应商设备封装 | 8-SO |
| 包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | IRF7464PBFTRIRF7464TRPBF-NDIRF7464TRPBFTR-ND |
【International Rectifier】IRF7465,MOSFET N-CH 150V 1.9A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7465PBF,MOSFET N-CH 150V 1.9A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7465TRPBF,MOSFET N-CH 150V 1.9A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7466PBF,MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7466TR,MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7466TRPBF,MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
