描述 | MOSFET N-CH 12V 15A 8-SOIC | FET 特点 | 逻辑电平门 |
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漏极至源极电压(Vdss) | 12V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 15A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 8 毫欧 @ 15A,4.5V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 1.9V @ 250?A |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 40nC @ 4.5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 2550pF @ 6V |
功率 - 最大 | 2.5W | 安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 供应商设备封装 | 8-SO |
包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | IRF7476TRPBF-NDIRF7476TRPBFTR |
【International Rectifier】IRF7477PBF,MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7477TR,MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7477TRPBF,MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7478PBF,MOSFET N-CH 60V 7A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7478QTRPBF,MOSFET N-CH 60V 7A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7478TR,MOSFET MOSFET, 60V, 7.6A, 26 mOhm, 21 nC Qg, SO-8