| 描述 | MOSFET N-CH 40V 217A DIRECTFET | FET 类型 | N 通道 |
|---|---|---|---|
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 漏源电压（Vdss） | 40 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 217A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 6V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.2 毫欧 @ 132A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.9V @ 150μA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | 185 nC @ 10 V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 6680 pF @ 25 V | FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 96W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | DirectFET? Isometric ME |
| 封装/外壳 | DirectFET? Isometric ME |
【International Rectifier】IRF7484PBF,MOSFET N-CH 40V 14A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7484Q,MOSFET N-CH 40V 14A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7484QTRPBF,MOSFET MOSFET, 40V, 14A 10 mOhm, 69 nC Qg
【International Rectifier】IRF7484TRPBF,MOSFET N-CH 40V 14A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7488TRPBF,MOSFET N-CH 80V 6.3A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7490PBF,MOSFET N-CH 100V 5.4A 8-SOIC
