描述 | MOSFET N-CH 150V 5.1A 8-SOIC | FET 特点 | 逻辑电平门 |
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漏极至源极电压(Vdss) | 150V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 5.1A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 44 毫欧 @ 3.1A,10V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 4V @ 250?A |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 53nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1783pF @ 25V |
功率 - 最大 | 2.5W | 安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 供应商设备封装 | 8-SO |
包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | IRF7494TRPBF-NDIRF7494TRPBFTR |
【International Rectifier】IRF7495PBF,MOSFET N-CH 100V 7.3A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7495TR,MOSFET N-CH 100V 7.3A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7495TRPBF,MOSFET N-CH 100V 7.3A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7501TR,MOSFET DUAL N-CH 20V 2.4A MICRO8
【International Rectifier】IRF7501TRPBF,MOSFET N-CH DUAL 20V 2.4A MICRO8
【International Rectifier】IRF7503TR,MOSFET 2N-CH 30V 2.4A MICRO8
【International Rectifier】IRF7503TRPBF,MOSFET N-CH DUAL 30V 2.4A MICRO8