描述 | MOSFET N-CH 60V 114A DIRECTFET | FET 类型 | N 通道 |
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技术 | MOSFET(金属氧化物) | 漏源电压(Vdss) | 60 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 114A(Tc) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 6V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 3.6 毫欧 @ 70A,10V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 3.7V @ 150μA |
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值) | 180 nC @ 10 V | Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 6510 pF @ 25 V | FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 115W(Tc) | 工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | DirectFET? Isometric ME |
封装/外壳 | DirectFET? Isometric ME |
【International Rectifier】IRF7601PBF,MOSFET N-CH 20V 5.7A MICRO-8
【International Rectifier】IRF7601TR,MOSFET N-CH 20V 5.7A MICRO8
【International Rectifier】IRF7601TRPBF,MOSFET N-CH 20V 5.7A MICRO8
【International Rectifier】IRF7603TR,MOSFET N-CH 30V 5.6A MICRO8
【International Rectifier】IRF7603TRPBF,MOSFET N-CH 30V 5.6A MICRO8
【International Rectifier】IRF7604TR,MOSFET P-CH 20V 3.6A MICRO8
【International Rectifier】IRF7604TRPBF,MOSFET P-CH 20V 3.6A MICRO8
【International Rectifier】IRF7606TR,MOSFET P-CH 30V 3.6A MICRO8