您的位置:维库电子商城 > 分离式半导体产品 > FET - 单 > irf7701gtrpbf
  • IRF7701GTRPBF

IRF7701GTRPBF

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
描述MOSFET P-CH 12V 10A 8-TSSOPFET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)12V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C10A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C11 毫欧 @ 10A,4.5VId 时的 Vgs(th)(最大)1.2V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs100nC @ 4.5V输入电容 (Ciss) @ Vds5050pF @ 10V
功率 - 最大1.5W安装类型表面贴装
封装/外壳8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)供应商设备封装8-TSSOP
包装带卷 (TR)其它名称IRF7701GTRPBFTR

irf7701gtrpbf的相关型号: