描述 | MOSFET 2N-CH 20V 4.8A 8TSSOP | FET 特点 | 逻辑电平门 |
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漏极至源极电压(Vdss) | 20V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 4.8A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 35 毫欧 @ 4.8A,4.5V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 1.2V @ 250?A |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 23nC @ 4.5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1340pF @ 15V |
功率 - 最大 | 1.2W | 安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) | 供应商设备封装 | 8-TSSOP |
包装 | 带卷 (TR) |
【International Rectifier】IRF7759L2TR1PBF,MOSFET N-CH 75V 375A DIRECTFET
【International Rectifier】IRF7759L2TRPBF,MOSFET N-CH 75V DIRECTFET L8
【International Rectifier】IRF7769L2TR1PBF,MOSFET N-CH 100V 375A DIRECTFET
【International Rectifier】IRF7769L2TRPBF,MOSFET N-CH 100V DIRECTFET L8
【International Rectifier】IRF7779L2TR1PBF,MOSFET N-CH 150V 375A DIRECTFET
【International Rectifier】IRF7779L2TRPBF,MOSFET N-CH 150V DIRECTFET L8