描述 | MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC | FET 特点 | 二极管(隔离式) |
---|---|---|---|
漏极至源极电压(Vdss) | 30V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 8.3A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 25 毫欧 @ 7A,4.5V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 3V @ 250?A |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 14nC @ 4.5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | - |
功率 - 最大 | 2.5W | 安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 供应商设备封装 | 8-SO |
包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | IRF7807VD1PBFTRIRF7807VD1TRPBF-NDIRF7807VD1TRPBFTR-ND |
【International Rectifier】IRF7807VD2,MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7807VD2PBF,MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7807VD2TR,MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7807VD2TRPBF,MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7807VPBF,MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7807VTR,MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7807VTRPBF,MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7807Z,MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC