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  • IRF7807VD1TRPBF

IRF7807VD1TRPBF

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 4000$0.389
  • 8000$0.374
  • 12000$0.356
  • 28000$0.343
  • 100000$0.332
描述MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOICFET 特点二极管(隔离式)
漏极至源极电压(Vdss)30V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C8.3A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C25 毫欧 @ 7A,4.5VId 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs14nC @ 4.5V输入电容 (Ciss) @ Vds-
功率 - 最大2.5W安装类型表面贴装
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)供应商设备封装8-SO
包装带卷 (TR)其它名称IRF7807VD1PBFTRIRF7807VD1TRPBF-NDIRF7807VD1TRPBFTR-ND

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