| 描述 | MOSFET N-CH 30V 17.6A 8SO | FET 类型 | N 通道 |
|---|---|---|---|
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 17.6A（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 7.5 毫欧 @ 15A，4.5V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250μA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | 86 nC @ 5 V | Vgs（最大值） | ±12V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 7300 pF @ 16 V | FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 3.5W（Ta） | 工作温度 | - |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | 8-SO |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
【International Rectifier】IRF7809ATR,MOSFET N-CH 30V 14.5A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7809AV,MOSFET N-CH 30V 13.3A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7809AVPBF,MOSFET N-CH 30V 13.3A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7809AVTRPBF,MOSFET N-CH 30V 13.3A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7809PBF,MOSFET N-CH 28V 14.5A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7809TR,MOSFET N-CH 30V 17.6A 8-SOIC
