| 描述 | MOSFET N-CH 150V 5.1A 8-SOIC | FET 特点 | 标准型 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 150V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 5.1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 43 毫欧 @ 3.1A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 5V @ 100?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 38nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1647pF @ 75V |
| 功率 - 最大 | 2.5W | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 供应商设备封装 | 8-SO |
| 包装 | 管件 |
【International Rectifier】IRF7815TRPBF,MOSFET N-CH 150V 5.1A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7821GTRPBF,MOSFET N-CH 30V 13.6A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7821PBF,MOSFET N-CH 30V 13.6A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7821TR,MOSFET N-CH 30V 13.6A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF7821TRPBF,MOSFET N-CH 30V 13.6A 8-SOIC