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  • IRF8113GPBF

IRF8113GPBF

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 855$0.55359
描述MOSFET N-CH 30V 17.2A SO-8FET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)30V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C17.2A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C5.6 毫欧 @ 17.2A,10VId 时的 Vgs(th)(最大)2.2V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs36nC @ 4.5V输入电容 (Ciss) @ Vds2910pF @ 15V
功率 - 最大2.5W安装类型表面贴装
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)供应商设备封装8-SO
包装管件

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