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IRF820B

描述MOSFET 500V N-Channel B-FET漏极连续电流2.5 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)0.21 Ohms配置Single
最大工作温度+ 150 C安装风格Through Hole
封装 / 箱体TO-220封装Tube
下降时间35 ns正向跨导 gFS(最大值/最小值)2.2 S
最小工作温度- 55 C功率耗散49 W
上升时间30 ns工厂包装数量50
典型关闭延迟时间40 ns零件号别名IRF820B_NL

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