| 描述 | MOSFET N-CH 30V 34A DIRECTFET | FET 类型 | N 通道 |
|---|---|---|---|
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 34A（Ta），192A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.5 毫欧 @ 32A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.35V @ 150μA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | 77 nC @ 4.5 V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 6140 pF @ 15 V | FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 2.8W（Ta），89W（Tc） | 工作温度 | -40°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | DIRECTFET? MT |
| 封装/外壳 | DirectFET? 等容 MT |
【International Rectifier】IRF8302MTR1PBF,MOSFET 30V N-Channel HEXFET Power MOSFET
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【International Rectifier】IRF8304MTR1PBF,MOSFET 30V N-Channel HEXFET Power MOSFET
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【International Rectifier】IRF8306MTR1PBF,MOSFET N CH 30V 23A DFN3X3EP
【International Rectifier】IRF8308MTR1PBF,MOSFET 30V N-Channel HEXFET Power MOSFET
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