描述 | MOSFET N-CH DUAL 30V 8-SOIC | FET 特点 | 逻辑电平门 |
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漏极至源极电压(Vdss) | 30V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 8A,11A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 15.5 毫欧 @ 8A,10V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 2.35V @ 25?A |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 8.6nC @ 4.5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 766pF @ 15V |
功率 - 最大 | 1.5W,2.4W | 安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 供应商设备封装 | 8-SO |
包装 | 管件 |
【International Rectifier】IRF8513TRPBF,MOSFET N-CH DUAL 30V 8-SOIC
【International Rectifier】IRF8707GPBF,MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF8707GTRPBF,MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF8707PBF,MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF8707TRPBF,MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF8714GPBF,MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF8714GTRPBF,MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC