描述 | MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOIC | FET 特点 | 逻辑电平门 |
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漏极至源极电压(Vdss) | 30V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 18A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 4.8 毫欧 @ 18A,10V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 2.35V @ 50?A |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 26nC @ 4.5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 2315pF @ 15V |
功率 - 最大 | 2.5W | 安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 供应商设备封装 | 8-SO |
包装 | 管件 |
【International Rectifier】IRF8736TRPBF,MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF8788PBF,MOSFET N-CH 30V 24A SO-8
【International Rectifier】IRF8788TRPBF,MOSFET N-CH 30V 24A SO-8
【International Rectifier】IRF8852TRPBF,MOSFET N-CH DUAL 25V 7.8A 8TSSOP
【International Rectifier】IRF8910GPBF,MOSFET N-CH 20V 10A SO-8
【International Rectifier】IRF8910GTRPBF,MOSFET N-CH DUAL 20V 10A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF8910PBF,MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF8910TRPBF,MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC