| 描述 | MOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8-SOIC | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 20V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 8.9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 18.3 毫欧 @ 8.9A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 2.5V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 7.4nC @ 4.5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 540pF @ 10V |
| 功率 - 最大 | 2W | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 供应商设备封装 | 8-SO |
| 包装 | 管件 |
【International Rectifier】IRF8915TR,MOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF8915TRPBF,MOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF9204PBF,MOSFET P-CH 40V 74A TO-220AB
【International Rectifier】IRF9310PBF,MOSFET P-CH 30V 20A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF9310TRPBF,MOSFET P-CH 30V 20A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF9317PBF,MOSFET P-CH 30V 16A SO-8