描述 | MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8-SO | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
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配置 | N 和 P 沟道 | FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源电压(Vdss) | 30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 6.8A,4.6A |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 27 毫欧 @ 6.8A,10V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2.3V @ 10μA |
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值) | 14nC @ 10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 398pF @ 15V |
功率 - 最大值 | 2W | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商器件封装 | 8-SO |
【International Rectifier】IRF9392PBF,MOSFET P-CH 30V 9.8A 8SOIC
【International Rectifier】IRF9392TRPBF,MOSFET P-CH 30V 9.8A 8SOIC
【International Rectifier】IRF9393PBF,MOSFET P-CH 30V 9.2A SO-8
【International Rectifier】IRF9393TRPBF,MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF9395MTR1PBF,MOSFET 2P-CH 30V 14A DIRECTFET
【International Rectifier】IRF9395MTRPBF,MOSFET 2P-CH 30V 14A DIRECTFET