| 描述 | MOSFET P-CH 100V 12A TO-220AB | FET 特点 | 标准型 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 100V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 12A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 300 毫欧 @ 7.2A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 4V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 38nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 860pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 88W | 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 | 供应商设备封装 | TO-220AB |
| 包装 | 管件 | 其它名称 | *IRF9530 |
进，就可以满足在较高输入电压时仍能高效率输出稳定的5v电压而不会烧坏芯片。 2 改进后的稳压电路 如果使用图1中的电路，那么您不用求助于电噪声很大的dc/dc转换器，也不必在降压电阻器中浪费功率，就能从电压较高并经整流的正弦电压源获得5vdc等很低的稳定电压。该应用需要一个稳定的5vdc源，但是变压器向全波桥式整流器供应18vrms。在充电阶段，两个等值电解电容器c1和c2在通过正向偏置二极管d1和d2串联时，会接收充电电流。一个增强型p沟道mosfet晶体管q1，型号为 irf9530，其栅极接收了由于齐纳二极管d4的正向电压降因而略微为正值的反向栅极偏置电压，因此保持断开。每个电容器均充到大约为整流电压峰值的一半与d1和d2带来的正向电压降之间的差值。全波桥式整流器d5，即graetz桥，产生了这些电压降（参考文献1）。 当放电阶段开始时，d1获得反向偏置，而电容器c2则通过稳压器ic1带来的负载放电。随后，二极管d1的阳极电压继续下降，q1的栅极至源极电压变为负，并且晶体管导通，使c1能通过正向偏置二极管d3向负载放电。事实上，两个电容器串联充电，并且向负载 ...
图画得对吗？irf9530是p沟道mosfet。 ...
场效应管可以用irf9530 我们厂之前做5v 2a做了十多万不加煽热片2a没问题的 ...
临时做的电路，手头有这些器件，临时搭建的电路。表现为lm2576和irf9530都比较烫手，大侠们看看能不能改善一下。 ...
寻求经典实用的电源设计方案2和3都设计过类似的，但是在2576-5，2576-12，2577-adj,uc3096设计的时候，irf9530的发热问题处理，必须要注意。 ...
也许是irf9530吧?irf9530:pmos场效应管，100v，12a，75w。 ...
【Fairchild Semiconductor】IRF9530_R4941,MOSFET TO-220AB P-Ch Power
【International Rectifier】IRF9530NL,MOSFET P-CH 100V 14A TO-262
【International Rectifier】IRF9530NPBF,MOSFET P-CH 100V 14A TO-220AB
【International Rectifier】IRF9530NS,MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
【International Rectifier】IRF9530NSPBF,MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
【International Rectifier】IRF9530NSTRLPBF,MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
【International Rectifier】IRF9530NSTRR,MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
