| 描述 | MOSFET N+P 30V 2.3A 8-SOIC | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 30V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 3.5A，2.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 100 毫欧 @ 2.2A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 1V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 14nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 190pF @ 15V |
| 功率 - 最大 | 2W | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 供应商设备封装 | 8-SO |
| 包装 | 管件 |
【International Rectifier】IRF9952QTRPBF,MOSFET N/P-CH DUAL 30V 8-SOIC
【International Rectifier】IRF9952TR,MOSFET N+P 30V 2.3A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF9952TRPBF,MOSFET N+P 30V 2.3A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF9953,MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF9953PBF,MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF9953TR,MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF9953TRPBF,MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8-SOIC