描述 | MOSFET N-CH 60V 195A TO-220AB | FET 特点 | 逻辑电平门 |
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漏极至源极电压(Vdss) | 60V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 195A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 2.5 毫欧 @ 170A,10V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 4V @ 250?A |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 300nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 8970pF @ 50V |
功率 - 最大 | 375W | 安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220-3 | 供应商设备封装 | TO-220AB |
包装 | 管件 |
的瞬态提供更多防护频带,而且还能让数枚mosfet分享高电流的平行式拓扑得以减少器件数目。” 全新n信道mosfet系列提供60v至200v的电压,并达到工业级别及湿度敏感度第一阶(msl1) 标准。新器件均不含铅及符合电子产品有害物质限制指令 (rohs) 。 产品基本规格如下: 器件编号 通道 类型 bvdss(v) rds(on) (mω) 在25ºc 下id (a) qg (nc) 封装 irfb3006pbf n 60 2.5 195* 200 to-220 irfs3006pbf n 60 2.5 195* 200 d2pak irfs3006-7ppbf n 60 2.1 240* 200 d2pak-7 irfs3107pbf n 75 3.0 195* 160 d2pak irfs3107-7ppbf n ...
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