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  • IRFB3006PBF

IRFB3006PBF

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 1$4.67
  • 10$3.194
  • 25$2.874
  • 50$2.6904
  • 100$2.541
描述MOSFET N-CH 60V 195A TO-220ABFET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)60V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C195A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C2.5 毫欧 @ 170A,10VId 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs300nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds8970pF @ 50V
功率 - 最大375W安装类型通孔
封装/外壳TO-220-3供应商设备封装TO-220AB
包装管件

“IRFB3006PBF”电子资讯

  • IR推出全新基准MOSFET,将封装电流额定值提升了60%

    的瞬态提供更多防护频带,而且还能让数枚mosfet分享高电流的平行式拓扑得以减少器件数目。” 全新n信道mosfet系列提供60v至200v的电压,并达到工业级别及湿度敏感度第一阶(msl1) 标准。新器件均不含铅及符合电子产品有害物质限制指令 (rohs) 。 产品基本规格如下: 器件编号 通道 类型 bvdss(v) rds(on) (mω) 在25ºc 下id (a) qg (nc) 封装 irfb3006pbf n 60 2.5 195* 200 to-220 irfs3006pbf n 60 2.5 195* 200 d2pak irfs3006-7ppbf n 60 2.1 240* 200 d2pak-7 irfs3107pbf n 75 3.0 195* 160 d2pak irfs3107-7ppbf n ...

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