描述 | MOSFET N-CH 100V 120A TO-220AB | FET 特点 | 逻辑电平门 |
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漏极至源极电压(Vdss) | 100V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 120A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 4.5 毫欧 @ 75A,10V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 4V @ 250?A |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 210nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 9620pF @ 50V |
功率 - 最大 | 370W | 安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220-3 | 供应商设备封装 | TO-220AB |
包装 | 管件 |
【International Rectifier】IRFB4115GPBF,MOSFET N-CH 150V 104A TO220AB
【International Rectifier】IRFB4115PBF,MOSFET N-CH 150V 104A TO220AB
【International Rectifier】IRFB4127PBF,MOSFET N-CH 200V 76A TO-220AB
【International Rectifier】IRFB41N15D,MOSFET N-CH 150V 41A TO-220AB
【International Rectifier】IRFB41N15DPBF,MOSFET N-CH 150V 41A TO-220AB
【International Rectifier】IRFB4212PBF,MOSFET N-CH 100V 18A TO-220AB