| 描述 | MOSFET N-CH 100V 120A TO-220AB | FET 特点 | 标准型 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 100V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 120A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 6 毫欧 @ 75A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 4V @ 150?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 170nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 6860pF @ 50V |
| 功率 - 最大 | 250W | 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 | 供应商设备封装 | TO-220AB |
| 包装 | 管件 |
.5 附近对纹波的抑制效果是最好的，但当要求boost 电路的升压倍数较大时，由于此时的开关管控制脉冲占空比较大， 交错并联结构对电流纹波的消除作用受到限制。 当系统在buck 工作模式时， 电感工作在连续电流模式下，此时电压纹波驻u1=u1ts2（1-d）/（8lc）。系统工作频率为50 khz， 为满足对电压纹波和输入电流纹波的要求， 根据上述进行计算后， 选择30 μh/40 a 的高频电感，低压端配以2 200 μf 电解电容， 高压端使用两个2 200 μf 电解电容并联；同时以irfb4310zpbf 作为开关器件实现硬件设计。 3 控制器设计 在此，双向交错并联dc/dc 变换器使用电压电流双闭环pi 控制，控制框图如图2 所示。 图2 系统控制框图 在连续电流模式下，两相交错并联dc/dc 电路按开关状态存在4 种工作模式， 每个桥臂开关状态函数假定为sk（t），sk（t）∈{0，1}，k∈{3，4}。当vs3和vs4工作时，根据电路理论很容易导出在boost 模式下电路的动力学方程，平均化后可得： 系统稳态工作时，设输入电压为uin*，输出电压为uo* ...
【International Rectifier】IRFB4321GPBF,MOSFET N-CH 150V 83A TO-220AB
【International Rectifier】IRFB4321PBF,MOSFET N-CH 150V 83A TO-220AB
【International Rectifier】IRFB4332PBF,MOSFET N-CH 250V 60A TO-220AB
【International Rectifier】IRFB4410,MOSFET N-CH 100V 96A TO-220AB
【International Rectifier】IRFB4410PBF,MOSFET N-CH 100V 96A TO-220AB
【International Rectifier】IRFB4410ZGPBF,MOSFET N-CH 100V 97A TO-220AB
【International Rectifier】IRFB4410ZPBF,MOSFET N-CH 100V 97A TO-220AB
