| 描述 | MOSFET N-CH | FET 类型 | N 通道 |
|---|---|---|---|
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 漏源电压（Vdss） | 150 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 35A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 39 毫欧 @ 21A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 100μA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | 40 nC @ 10 V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1750 pF @ 50 V | FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 144W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
【International Rectifier】IRFB5620PBF,MOSFET N-CH 200V 25A TO-220AB
【International Rectifier】IRFB59N10DPBF,MOSFET N-CH 100V 59A TO-220AB
【International Rectifier】IRFB61N15DPBF,MOSFET N-CH 150V 60A TO-220AB
【International Rectifier】IRFB7430PBF,MOSFET N CH 40V 195A TO220
【International Rectifier】IRFB7434PBF,MOSFET N CH 40V 195A TO220
