| 描述 | MOSFET N-CH 650V 8.5A TO220AB | FET 类型 | N 通道 |
|---|---|---|---|
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 漏源电压（Vdss） | 650 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 8.5A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | - |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 930 毫欧 @ 5.1A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250μA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | 48 nC @ 10 V | Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1417 pF @ 25 V | FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 167W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
【International Rectifier】IRFBA1404P,MOSFET N-CH 40V 206A SUPER-220
【International Rectifier】IRFBA1404PPBF,MOSFET N-CH 40V 206A SUPER-220
【International Rectifier】IRFBA1405P,MOSFET N-CH 55V 174A SUPER-220
【International Rectifier】IRFBA1405PPBF,MOSFET N-CH 55V 174A SUPER-220
【International Rectifier】IRFBA90N20DPBF,MOSFET N-CH 200V 98A SUPER-220
