描述 | MOSFET N-CH 600V 2.2A TO-220AB | FET 特点 | 标准型 |
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漏极至源极电压(Vdss) | 600V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 2.2A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 4.4 欧姆 @ 1.3A,10V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 4V @ 250?A |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 18nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 350pF @ 25V |
功率 - 最大 | 50W | 安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220-3 | 供应商设备封装 | TO-220AB |
包装 | 管件 | 其它名称 | *IRFBC20 |
00v,输出总功率约为6w左右。 1)前端电路设计 当输入电压要求为ac400v时,考虑输入时电源的波动变化为±15%,则最高输入电压将达到460v左右,此输入电压经整流滤波后,其电压可达650v左右,再考虑加上输出反馈的电压uor和漏感形成的尖峰电压叠加后其最高电压将超过800v,而该芯片的最高电压为700v,为了保证top242能正常安全工作,在设计前端电路时增加了一个mos管,让mos管与top242串接,并实现与top管同步开关来提高整体耐压。本设计采用的mos管是ir公司的irfbc20,其耐压为600v,导通关断时间为几十个ns,这可以大大减少开关损耗。mos管的通断由top242n控制,这样可以使mos管和top242n内部的开关管时序保持一致,见图1。 2)外围控制电路设计 该电路将top242n的极限电流设置为内部最大值,将top242n设为全频工作方式,开关频率为1 32khz,把多功能脚m与s短接。 3)稳压反馈电路设计 反馈回路的形式由输出电压的精度决定,本设计采用“光耦加tl431”的反馈方式,见图1。它可以将输出电压的变动控制在 ...