| 描述 | MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK | FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
|---|---|---|---|
| FET 特点 | 标准型 | 漏极至源极电压(Vdss) | 800V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 4.1A | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 3 欧姆 @ 2.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 4V @ 250?A | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 78nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1300pF @ 25V | 功率 - 最大 | 125W |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | TO-263-3，D?Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装 | D2PAK | 包装 | 管件 |
| 其它名称 | *IRFBE30S |
