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  • IRFBL3703

IRFBL3703

  • 制造商:-
  • 现有数量:0现货
  • 价格:停产
  • 系列:HEXFET?
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
产品属性
描述MOSFET N-CH 30V 260A SUPER D2PAKFET 类型N 通道
技术MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss)30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)260A(Tc)驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)7V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)2.5 毫欧 @ 76A,10V不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)209 nC @ 10 VVgs(最大值)±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)8250 pF @ 25 VFET 功能-
功率耗散(最大值)3.8W(Ta),300W(Tc)工作温度-
安装类型表面贴装型供应商器件封装超级 D2-封装
封装/外壳超级 D2-封装

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