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IRFD123

  • 制造商:-
  • 产品种类:MOSFET
  • 晶体管极性:N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压:100 V
  • 闸/源击穿电压:+/- 20 V

参考价格

  • 数量单价
  • 1800¥9.11
  • 2500¥8.49
  • 5000¥8.42
  • 7500¥8.35
产品属性
描述MOSFET N-Chan 100V 1.3 Amp漏极连续电流1.3 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)270 mOhms配置Single Dual Drain
最大工作温度+ 150 C安装风格Through Hole
封装 / 箱体HexDIP-4封装Tube
下降时间27 ns最小工作温度- 55 C
功率耗散1300 mW上升时间27 ns
工厂包装数量2500典型关闭延迟时间18 ns

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