| 描述 | MOSFET P-CH 50V 1.1A 4-DIP | FET 特点 | 标准型 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 50V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 1.1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 500 毫欧 @ 580mA，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 4V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 11nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 240pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 1W | 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | 4-DIP（0.300"，7.62mm） | 供应商设备封装 | 4-DIP，Hexdip，HVMDIP |
| 包装 | 管件 | 其它名称 | *IRFD9010 |
