描述 | MOSFET N-CH 30V 16A PQFN56 | FET 特点 | 逻辑电平门 |
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漏极至源极电压(Vdss) | 30V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 16A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 7.1 毫欧 @ 16A,10V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 2.35V @ 25?A |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 14nC @ 4.5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1510pF @ 15V |
功率 - 最大 | 2.8W | 安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-PowerVDFN | 供应商设备封装 | PQFN(3x3)单芯片焊盘 |
包装 | 带卷 (TR) |