描述 | MOSFET N-CH 60V 21A 8-PQFN | FET 特点 | 逻辑电平门 |
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漏极至源极电压(Vdss) | 60V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 21A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 5.6 毫欧 @ 50A,10V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 4V @ 250?A |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 75nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 3090pF @ 25V |
功率 - 最大 | 3.6W | 安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-PowerVQFN | 供应商设备封装 | PQFN(5x6) |
包装 | 带卷 (TR) |
【International Rectifier】IRFH5110TR2PBF,MOSFET N-CH 100V 5X6 PQFN
【International Rectifier】IRFH5110TRPBF,MOSFET N-CH 100V 11A 8-PQFN
【International Rectifier】IRFH5204TR2PBF,MOSFET N-CH 40V 22A PQFN
【International Rectifier】IRFH5204TRPBF,MOSFET N-CH 40V 22A PQFN
【International Rectifier】IRFH5206TR2PBF,MOSFET N-CH 60V 5X6 PQFN
【International Rectifier】IRFH5206TRPBF,MOSFET N-CH 60V 87A 8-PQFN
【International Rectifier】IRFH5207TR2PBF,MOSFET N-CH 75V 5X6 PQFN
【International Rectifier】IRFH5207TRPBF,MOSFET N-CH 75V 13A 8-PQFN