| 描述 | MOSFET N-CH 30V 21A PQFN | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 30V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 21A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 3.8 毫欧 @ 20A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 2.35V @ 50?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 31nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 2155pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 2.7W | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-VQFN 裸露焊盘 | 供应商设备封装 | PQFN（3x3） |
| 包装 | 带卷 (TR) |
