| 描述 | MOSFET N-CH 30V 8.8A PQFN | FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
|---|---|---|---|
| FET 特点 | 逻辑电平门 | 漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 8.8A | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 16 毫欧 @ 8.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 2.35V @ 25?A | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 8.7nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 600pF @ 25V | 功率 - 最大 | 2.1W |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | 6-PowerVQFN |
| 供应商设备封装 | 6-PQFN（2x2） | 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | IRFHS8342TR2PBFTR |
【International Rectifier】IRFHS8342TRPBF,MOSFET N-CH 30V 8.8A PQFN
【International Rectifier】IRFHS9301TR2PBF,MOSFET P-CH 30V 6A PQFN
【International Rectifier】IRFHS9301TRPBF,MOSFET P-CH 30V 6A PQFN
【International Rectifier】IRFHS9351TR2PBF,MOSFET 2P-CH 30V 2.3A PQFN
【International Rectifier】IRFHS9351TRPBF,MOSFET 2P-CH 30V 2.3A PQFN
【International Rectifier】IRFI1010NPBF,MOSFET N-CH 55V 49A TO220FP
【International Rectifier】IRFI1310N,MOSFET N-CH 100V 24A TO220FP
【International Rectifier】IRFI1310NPBF,MOSFET N-CH 100V 24A TO220FP