IRFI4024H-117P

时间生成电路，可以设置准确而稳定的栅极开关时序，同时提供优化的死区时间设置，以改善总谐波失真(thd)性能和提高抗噪性。除了简化设计，这项死区时间功能可减少达8个外部元件，而且无需大型封装，从而节省了更多的占板空间。irs20955数字音频ic的工作频率可达800khz，适用于单电源全桥设计。 irfi4024hx技术资料 除了拥有较低的导通电阻，该系列半桥n沟道mosfet具有优化的栅极电荷，体二极管反向恢复和内部栅极电阻，以改善主要d类音频放大器的性能参数，如效率、thd和emi。例如，irfi4024h-117p具有48毫欧的典型导通电阻，效率极高，其8.9nc的典型qg和4.3nc的qsw有助改善thd性能。 有关新器件的详细数据，可登录网站：http://www.irf.com/whats-new/nr061207.html。新器件现已接受批量订货，各款产品均符合rohs。 ...

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directfet sj 100v 28mohms 25a 14nc irf6665 directfet sh 100v 53mohms 19a 8.7nc irf6775m directfet mz 150v 47mohms 28a 25nc irf6785m directfet mz 200v 85mohms 19a 26nc irfb4227pbf to220-ab 200v 20mohms 65a 70nc irfi4024h-117p to-220 full-pak 5p 55v 48mohms 11a 8.9nc irfi4212h-117p to-220 full-pak 5p 100v 58mohms 11a 12nc irfi4019h-117p to-220 full-pak 5p 150v 80mohms 8.7a 13nc irfi4020h-117p to-220 full-pak 5p 200v 80mohms 9.1a 19nc 来源:零八我的 ...

稳定的栅极开关时序，同时提供优化的死区时间设置，以改善总谐波失真(thd)性能和提高抗噪性。除了简化设计，这项死区时间功能可减少达8个外部元件，而且无需大型封装，从而节省了更多的占板空间。irs20955数字音频ic的工作频率可达800khz，适用于单电源全桥设计。 irfi4024hx技术资料 除了拥有较低的导通电阻，该系列半桥n沟道mosfet具有优化的栅极电荷，体二极管反向恢复和内部栅极电阻，以改善主要d类音频放大器的性能参数，如效率、thd和emi。例如，irfi4024h-117p具有48毫欧的典型导通电阻，效率极高，其8.9nc的典型qg和4.3nc的qsw有助改善thd性能。 新器件现已接受批量订货，各款产品均符合rohs。 来源:零八我的爱 ...