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  • IRFI640GPBF

IRFI640GPBF

  • 制造商:-
  • 数据列表:IRFI640G
  • 标准包装:1,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:-
  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 1$1.86
  • 25$1.4976
  • 100$1.3478
  • 250$1.198
  • 500$1.04826
产品属性
描述MOSFET N-CH 200V 9.8A TO220FPFET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点标准型漏极至源极电压(Vdss)200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C9.8A开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C180 毫欧 @ 5.9A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250?A闸电荷(Qg) @ Vgs70nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds1300pF @ 25V功率 - 最大40W
安装类型通孔封装/外壳TO-220-3 全封装,隔离接片
供应商设备封装TO-220-3包装管件
其它名称*IRFI640GPBF

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