| 描述 | MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223 | FET 类型 | P 通道 |
|---|---|---|---|
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 漏源电压（Vdss） | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.1A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.2 欧姆 @ 660mA，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250μA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | 8.7 nC @ 10 V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 200 pF @ 25 V | FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 2W（Ta），3.1W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-223 |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
【Fairchild Semiconductor】IRFM120ATF,MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT-223
【Fairchild Semiconductor】IRFM210BTF_FP001,MOSFET N-CH 200V 0.77A SOT-223
【Fairchild Semiconductor】IRFM214BTF_FP001,MOSFET 200V Single
【Fairchild Semiconductor】IRFM220BTF_FP001,MOSFET N-CH 200V 1.13A SOT-223
【Fairchild Semiconductor】IRFM224BTF_FP001,MOSFET 250V Single
【International Rectifier】IRFML8244TRPBF,MOSFET N-CH 25V 5.8A SOT23