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IRFP250B_FP001_Q

描述MOSFET 200V Single电阻汲极/源极 RDS(导通)0.085 Ohms
配置Single最大工作温度+ 150 C
安装风格Through Hole封装 / 箱体TO-3P
封装Tube下降时间195 ns
最小工作温度- 55 C功率耗散204 W
上升时间240 ns典型关闭延迟时间295 ns

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