| 描述 | MOSFET N-CH 600V 27A TO-247AC | FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
|---|---|---|---|
| FET 特点 | 标准型 | 漏极至源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 27A | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 220 毫欧 @ 16A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 5V @ 250?A | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 180nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 4660pF @ 25V | 功率 - 最大 | 500W |
| 安装类型 | 通孔 | 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 供应商设备封装 | TO-247-3 | 包装 | 管件 |
| 其它名称 | *IRFP27N60KPBF |
经过pfc架构，由于本文主要针对mos，因此图中没有表示出调试整流部分。pfc根据所使用的ic选择采用dcm或者ccm。从pfc出来后有一个pwm，如果输出功率小于65w，则pwm端采用flyback或qr模式。现在lcd tv常用的是半桥共振和llc架构。5v一侧有备用电源，目前lcd tv的备用电源通常采用的是ic绑定mos。 图2所示为一个实际的tv板。从图1的电源架构角度看，该电路板中有两个step emi内核，图中标记了红色的部分有一个pfc mosfet，目前vishay主推irfp27n60kpbf，pwm的mosfet采用的是半桥llc架构，这一部分用500v mos即可，该电路板使用的是irfb840apbf。此外还有3组输出，即5v、12v和24v，以及一个5v的备用电源。 2 拓扑结构及工作原理 pfc即power factor correction，是一个升压式架构。当pfc控制器的电源大于70w小于200w时，通常会采用dcm结构，这种结构电压比较高，通常需要选择600或650v的mos。当电源大于200w时，通常采用ccm结构。对于一次侧pwm拓扑架构，如图3所示，一般 ...
