| 描述 | MOSFET N-CH 400V 23A TO-247AC | FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
|---|---|---|---|
| FET 特点 | 标准型 | 漏极至源极电压(Vdss) | 400V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 23A | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 200 毫欧 @ 14A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 4V @ 250?A | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 210nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 4500pF @ 25V | 功率 - 最大 | 280W |
| 安装类型 | 通孔 | 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 供应商设备封装 | TO-247-3 | 包装 | 管件 |
| 其它名称 | *IRFP360 |
t在射频功放中的应用。 数字调幅就是将控制载波电平和音频调制的模拟信号首先转换成数字信号，再经过编码变成控制射频功放模块开通和关断的控制信号，通过控制相应数目的射频功放模块的开通或者关断数量来实现调幅。dam发射机取消了传统的高电平音频功放，而且所有的射频功率放大器均工作于d类开关状态，故其整机效率明显高于其它制式的发射机，典型效率可达到86％。图3所示为dx一200型dam发射机的射频功率放大器模块的原理方框图。 dx一200型dam发射机射频功放模块中使用的mos管型号为irfp360，它们都工作于d类开关状态，即在射频周期的半个周期饱和导通，相当于开关闭合；而在另半个周期截止，相当于开关断开。每个功放模块共使用八只mos管，被接成桥式组态。来自调制编码器的信号可用来控制射频功放模块的接通／关断。每两个mos管组成一个开关。电路*有四个由mos管组成的开关。其中，q1／q3与q6／q8的射频激励信号相位相同，图3中标示为0°；q2／q4和q5／q7的射频激励信号同相位，图3中标示为180°。可见，桥式组态的mos管为交替导通状态，并且其交替频率就是射频激励信号的频率，即发射机 ...
【International Rectifier】IRFP3703,MOSFET N-CH 30V 210A TO-247AC
【International Rectifier】IRFP3703PBF,MOSFET N-CH 30V 210A TO-247AC
【International Rectifier】IRFP3710PBF,MOSFET N-CH 100V 57A TO-247AC
【International Rectifier】IRFP4004PBF,MOSFET N-CH 40V 195A TO-247AC
【International Rectifier】IRFP4110PBF,MOSFET N-CH 100V 120A TO-247AC
