IRFP450

产生的热量迅速地散发到管壳，抑制了管芯温度的上升速度。因此，coolmos可在正常栅极电压驱动，在0.6vdss电源电压下承受10μs短路冲击，时间间隔大于1s，1000次不损坏，使coolmos可像igbt一样，在短路时得到有效的保护。 3.3关于内建横向电场高压mosfet发展现状 继infineon1988年推出coolmos后，2000年初st推出500v类似于coolmos的内部结构，使500v，12a的mosfet可封装在to-220管壳内，导通电阻为0.35ω，低于irfp450的0.4ω，电流额定值与irfp450相近。ixys也有使用coolmos技术的mosfet。ir公司也推出了supper220，supper247封装的超级mosfet，额定电流分别为35a，59a，导通电阻分别为0.082ω，0.045ω，150℃时导通压降约4.7v。从综合指标看，这些mosfet均优于常规mosfet，并不是因为随管芯面积增加，导通电阻就成比例地下降，因此，可以认为，以上的mosfet一定存在类似横向电场的特殊结构，可以看到，设法降低高压mosfet的导通压降已经成为现实 ...

2 无限流电阻的上电浪涌电流抑制模块有人提出一种无限流电阻的上电浪涌电流抑制电路如图7（a）所示，其上电电流波形如图7（b）所示，其思路是将电路设计成线形恒流电路。实际电路会由于两极放大的高增益而出现自激振荡现象，但不影响电路工作。从原理上讲，这种电路是可行的，但在使用时则有如下问题难以解决：如220v输入的400w开关电源的上电电流至少需要达到4a，如上电时刚好是电网电压峰值，则电路将承受4×220×=1248w的功率。不仅远超出irf840的125w额定耗散功率，也远超出irfp450及irfp460的150w额定耗散功率，即使是apt的线性mosfet也只有450w的额定耗散功率。因此，如采用irf840或irfp450的结果是，mosfet仅能承受有限次数的上电过程便可能被热击穿，而且从成本上看，irf840的价格可以接受，而irfp450及irfp460则难以接受，apt的线性mosfet更不可能接受。 欲真正实现无限流电阻的上电浪涌电流抑制模块，需解决功率器件在上电过程的功率损耗问题。作者推出的另一种上电浪涌电流抑制模块的基本思想是，使功率器件工作在开关状态，从 ...

μh 的电感。同样的条件下，对传统的 390v 固定直流输出拓扑而言，则需要 1mh 的电感。 升压开关损耗 以下方程计算了升压 fet 中的功率损耗 (pq1) [3][5]，并表明相对于传统 pfc 而言，当线电压较低时，寄生 fet 的电容损耗 (pcoss) 以及 fet 的转换损耗 (pfet_tr) 在升压跟随器 pfc 中会小很多。这是因为线电压较低时输出电压 (vout(min)) 在升压跟随器 pfc 中会小很多，从而减少了整体的开关损耗。 例如，一款 irfp450 hexfet（同样的条件应用于升压电感）的功率损耗在升压跟随器中为 11.5w，而在传统的调节器中的功率损耗则为 19.5w，也就是说在线电压较低时，升压跟随器的效率高出大约 3%。 图 3 升压跟随器型 pfc 与传统 pfc 的实验室结果比较 升压 fet 散热片尺寸的缩小 升压 fet 散热片尺寸的计算在输入电压最低时进行，因为此时 fet 功率损耗最高。以下方程可用于计算传统或跟随器型要求的散热片 (rθsa) 的最小热阻。其中，tjmax 为最高的结温，tamb ...

量迅速地散发到管壳，抑制了管芯温度的上升速度。因此，coolmos可在正常栅极电压驱动，在0.6vdss电源电压下承受10μs短路冲击，时间间隔大于1s，1000次不损坏，使coolmos可像igbt一样，在短路时得到有效的保护。 3.3关于内建横向电场高压mosfet发展现状 继infineon1988年推出coolmos后，2000年初st推出500v类似于coolmos的内部结构，使500v，12a的mosfet可封装在to-220管壳内，导通电阻为0.35ω，低于irfp450的0.4ω，电流额定值与irfp450相近。ixys也有使用coolmos技术的mosfet。ir公司也推出了supper220，supper247封装的超级mosfet，额定电流分别为35a，59a，导通电阻分别为0.082ω，0.045ω，150℃时导通压降约4.7v。从综合指标看，这些mosfet均优于常规mosfet，并不是因为随管芯面积增加，导通电阻就成比例地下降，因此，可以认为，以上的mosfet一定存在类似横向电场的特殊结构，可以看到，设法降低高压mosfet的导通压降已经成为现实 ...

h 的电感。同样的条件下，对传统的 390v 固定直流输出拓扑而言，则需要 1mh 的电感。 升压开关损耗 以下方程计算了升压 fet 中的功率损耗 (pq1) [3][5]，并表明相对于传统 pfc 而言，当线电压较低时，寄生 fet 的电容损耗 (pcoss) 以及 fet 的转换损耗 (pfet_tr) 在升压跟随器 pfc 中会小很多。这是因为线电压较低时输出电压 (vout(min)) 在升压跟随器 pfc 中会小很多，从而减少了整体的开关损耗。 例如，一款 irfp450 hexfet（同样的条件应用于升压电感）的功率损耗在升压跟随器中为 11.5w，而在传统的调节器中的功率损耗则为 19.5w，也就是说在线电压较低时，升压跟随器的效率高出大约 3%。 图 3 升压跟随器型 pfc 与传统 pfc 的实验室结果比较 升压 fet 散热片尺寸的缩小 升压 fet 散热片尺寸的计算在输入电压最低时进行，因为此时 fet 功率损耗最高。以下方程可用于计算传统或跟随器型要求的散热片 (rθsa) 的最小热阻。其中，tjmax 为最高的结温，ta ...

好。表1 内部特性参数不一致下，q和ls/lx不同对器件动态电流分布的影响（ls/lx）/％ 导通期间δi/a 开通过程δi/a 关断过程δi/a q1 q2 q1 q2 q1 q2 5 1.33 1.01 3.88 2.75 7.26 5.93 10 1.25 0.81 3.01 1.99 6.48 5.33 25 1.16 0.67 2.56 1.44 4.52 3.65 30 1.34 0.84 2.63 1.64 4.61 3.88 3 实验验证实验线路同图2，线路布局完全对称，实验采用irfp450做为开关管，其基本特性参数：vdss=500v，rds(on)=0.4ω，id=14a，crss=340pf，ciss=2600pf，直流电压是经过三相整流输出的vdd=95v，r1=50ω，驱动电压幅值为15v，占空比为65％频率约为1mhz。实验情况如下。1）rg=8.5ω，未采取任何均流措施情况下，随机取两个mosfet并联运行时，漏极电流id波形如图5所示。从图5可以看出，在同一驱动信号作用下，由于并联两管内部参数存在差异，导致了电流的不均衡和开关时间的不同时，使两管承受的通断损耗也出现 ...

相关元件pdf下载：irgbc30u irfp450 如图为100khz 600w功率因数校正电路(pfc)，采用zvt--pwm boost拓扑。为了减少成本，主开关管采用ir公司、to一220外形、igbt管；irgb30u外接4.4nf的电容，起软化开关作用，减小关断损耗。辅助开关虽然具有低的均方根电流，但承受高的关断电流，因此选用mosfet管，irfp450(500v、16a、150w)。 电路输出稳压在380v，输入电压为交流90～260v。该功率校正电路的效率与输人电压的工作范围有关。该zvt pfc电路工作在100khz、交流输入电压为180～260v范围时，总效率达97％～98％。 ...

输出脚 能够输出 负 电压我想找一个 运放 这个 运放 要达到 下面 的要求1 . 输出脚 能够输出 正 电压 npn管 导通 pnp管 截止2 . 输出脚 能够输出 负 电压 pnp管 导通 npn管 截止一般的单电源运放 输出的低电平大约0.2伏 pnp管 不能导通 ； npn管 不能 截止满足 不 了 要求另外 因为irfp450 功率管 的 g脚 和 s脚之间 存在电容要在g脚 接上 负电 才能 关闭irfp450 ...

如果用一只irfp450，可以在2a恒流，恒压 ，很正常如果用一只irfp450，可以在2a恒流，恒压 ，很正常 ...

使恒流源正常工作，应该保证在最不利的情况下，调整管上仍然有足够的电压使之工作在线性放大区而不进入饱和区。所谓最不利的情况，一个是在蓄电池充电终了时，电压升至最高，调整管电压相应地降至最低；另一个因素是如果你的电源只是简单的整流+电容滤波的非稳压电源，就需要考虑在纹波的谷底处仍然能满足上述条件。但如果电源电压留的余量太大，又会使调整管的功耗过大，尤其是在充电开始时（蓄电池电压最低）。需要兼顾以上两面，选取一个适中的电源电压值。估计调整管上总得要能承受100w左右的功耗才行。推荐一个mosfet管：irfp450，imax=14a，pmax=190w，当然还须加足够大的散热片。 ...

回楼主这个二极管是由制造工艺决定的，并不是所有mosfet都如此。看看大功率mosfet管例如irfp450或irft460的datasheet就清楚了，那里甚至在mosfet的图形符号上就把这个二极管画上了。 ...

多谢各位2个波形正好相反。最后得到的波形，是通过d触发器，一个接q端，一个接q非端。都是50%的方波。我感觉只加延时不管用。因为是两组，如果对于第一个脉冲是延时，那么对于第2个脉冲就相当于提前了。我用的mos管是irfp450，工作在450k应该没有问题。加电容是为了加速启动mos管，去掉还是发热。有时热，有时不热。不热时用电流表册测量电流，马上就热。希望继续关注。谢谢 ...