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  • IRFPG40

IRFPG40

  • 制造商:-
  • 数据列表:IRFPG40
  • 标准包装:500
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:-

参考价格

  • 数量单价
  • 500$7.5485
产品属性
描述MOSFET N-CH 1000V 4.3A TO-247ACFET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点标准型漏极至源极电压(Vdss)1000V(1kV)
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C4.3A开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C3.5 欧姆 @ 2.6A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250?A闸电荷(Qg) @ Vgs120nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds1600pF @ 25V功率 - 最大150W
安装类型通孔封装/外壳TO-247-3
供应商设备封装TO-247-3包装管件
其它名称*IRFPG40

“IRFPG40”技术资料

  • 分析全桥ZVS-PWM变换器的分析与设计

    下。 式中:tmax为最大开关周期。 再根据lc振荡频率fs来设计谐振电感ls的大小,其计算公式如下。 ls的选择也涉及到很多问题,降低开关损耗;提高电源效率,但过小,虽然占空比丢失最小,但增大开关损耗,加剧了开关管的温升,降低了电源的可靠性。 3 实验结果 根据以上方法设计和制作了200w移相全桥谐振zvs变换器实验样机,其主要参数如下: 输入直流电压vin为280~550v; 输出电流io为o"8.33a; 开关频率fs为200khz; 4个主开关管为irfpg40; 驱动控制芯片为uc3875; mosfet驱动芯片采用了mic4420; 输出整流二极管为mur3020; 输出滤波电感lf为19.8μh; 输出滤波电容cf为1800μf; 谐振电感lr为28μh。 图4示出了电路的脉冲驱动波形和主开管两端所测脉冲波形。 4 结语 本文在移相全桥zvs电路拓扑基础之上,根据等效电路模捌,分析了谐振电路在各时序工作模态下的电路原理。发展谐振技术可以提高开关频率、降低开关损耗、减少开关装置的体积和重量。因此更通用的谐振变换 ...

  • 移相控制全桥ZVS—PWM变换器的分析与设计

    抑制原边电流急剧变化引起的寄生振荡,降低开关损耗;但过大义延长了占空比丢失时间,使整机的效率明显降低。如取小些,负载电流最大时仍能控制移相稳定,提高电源效率,但过小,虽然占空比丢失最小,但增大开关损耗,加剧了开关管的温升,降低了电源的可靠性。 3 实验结果 根据以上方法设计和制作了200w移相全桥谐振zvs变换器实验样机,其主要参数如下: 输入直流电压vin为280~550v; 输出直流电压vo为24v; 输出电流io为o~8.33a; 开关频率fs为200khz; 4个主开关管为irfpg40; 驱动控制芯片为uc3875; mosfet驱动芯片采用了mic4420; 输出整流二极管为mur3020; 输出滤波电感lf为19.8μh; 输出滤波电容cf为1800μf; 谐振电感lr为28μh。 图4示出了电路的脉冲驱动波形和主开管两端所测脉冲波形。 4 结语 本文在移相全桥zvs电路拓扑基础之上,根据等效电路模捌,分析了谐振电路在各时序工作模态下的电路原理。变换器的两个死区时间也合理设计来保证开关管的开关应力,同时满足各个开关管的zvs实现条件。谐振参数的设计可 ...

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