描述 | MOSFET N-CH 200V 4.8A SOT428 | FET 特点 | 标准型 |
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漏极至源极电压(Vdss) | 200V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 4.8A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 800 毫欧 @ 2.9A,10V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 4V @ 250?A |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 14nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 280pF @ 25V |
功率 - 最大 | 42W | 安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 | 供应商设备封装 | D-Pak |
包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | 934056819118IRFR220 /T3IRFR220 /T3-ND |
【Fairchild Semiconductor】IRFR220BTF_FP001,MOSFET 200V 4.6A N-CH
【Fairchild Semiconductor】IRFR220BTM_FP001,MOSFET N-CH 200V 4.6A DPAK
【International Rectifier】IRFR220NCPBF,MOSFET N-CH 200V 5A DPAK
【International Rectifier】IRFR220NPBF,MOSFET N-CH 200V 5A DPAK
【International Rectifier】IRFR220NTR,MOSFET N-CH 200V 5A DPAK
【International Rectifier】IRFR220NTRL,MOSFET N-CH 200V 5A DPAK
【International Rectifier】IRFR220NTRLPBF,MOSFET N-CH 200V 5A DPAK