| 描述 | MOSFET N-CH 400V 3.1A DPAK | FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
|---|---|---|---|
| FET 特点 | 标准型 | 漏极至源极电压(Vdss) | 400V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 3.1A | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 1.8 欧姆 @ 1.9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 4V @ 250?A | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 20nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 350pF @ 25V | 功率 - 最大 | 2.5W |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装 | D-Pak | 包装 | 管件 |
| 其它名称 | *IRFR320 |
断，变压器的漏感电流不能跃变，由于q2的关断，变压器的漏感电流分别对q2、q3的源/漏寄生电容充/放电，使a点电压由电源电压的高电位转变为低电位，使与q3反并联的二极管d3导通，提供变压器的漏感电流通路，形成了事实上的零电压关断，如图2(c)。当变压器的漏感电流降到零前，使q3导通（由于死区时间不到1μs，很容易满足），使q3在“零电压”导通，如图2(d)。q3关断、q2导通的过程与上述描述相同，不再赘述，从而实现了“零电压”开关，使开关管的损耗几乎仅为导通损耗。本文的应用实例中，q2、q3选用irfr320结温为100℃时的导通电阻为3ω，满载时的工作电流约为300ma，导通压降为lv，占电源电压的0.25％。这样半桥的两个开关管的损耗可以小于整机输入功率的1％。隔离变压器由于工作在特定的工作状态，因而，其效率也非常高，大约为整机输入功率的1％。 2.4 肖特基整流二极管 由于隔离级开关管的占空比接近100％（98％），不仅流过输出整流器的电流的有效值最小，而且，输出级全波整流器的耐压仅需输出电压的2倍，对于输出为24v输出，完全可以选用耐压60v的肖特基整流二极管即可满足要求，而 ...
