| 描述 | MOSFET N-CH 20V 60A DPAK | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 8.4 毫欧 @ 15A, 10V | 漏极至源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 60A | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 2.55V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 14nC @ 4.5V | 在 Vds 时的输入电容(Ciss) | 1190pF @ 10V |
| 功率 - 最大 | 48W | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3, DPak (2 引线+接片), SC-63 | 供应商设备封装 | D-Pak |
| 包装 | 带卷 (TR) |
