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  • IRFR9N20DTRPBF

IRFR9N20DTRPBF

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 2000$0.557
  • 4000$0.533
  • 6000$0.512
  • 10000$0.488
  • 50000$0.455
描述MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAKFET 特点标准型
漏极至源极电压(Vdss)200V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C9.4A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C380 毫欧 @ 5.6A,10VId 时的 Vgs(th)(最大)5.5V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs27nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds560pF @ 25V
功率 - 最大86W安装类型表面贴装
封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63供应商设备封装D-Pak
包装带卷 (TR)其它名称IRFR9N20DTRPBF-NDIRFR9N20DTRPBFTR

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