| 描述 | MOSFET 200V N-Ch B-FET | 漏极连续电流 | 12.8 A |
|---|---|---|---|
| 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 0.18 Ohms | 配置 | Single |
| 最大工作温度 | + 150 C | 安装风格 | Through Hole |
| 封装 / 箱体 | TO-3PF | 封装 | Tube |
| 下降时间 | 110 ns | 最小工作温度 | - 55 C |
| 功率耗散 | 73 W | 上升时间 | 145 ns |
| 工厂包装数量 | 30 | 典型关闭延迟时间 | 145 ns |
【Fairchild Semiconductor】IRFS250B_FP001,MOSFET 200V N-Ch B-FET
【International Rectifier】IRFS3004-7PPBF,MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK-7
【International Rectifier】IRFS3004PBF,MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
【International Rectifier】IRFS3004TRL7PP,MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK7
【International Rectifier】IRFS3004TRLPBF,MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
【International Rectifier】IRFS3006-7PPBF,MOSFET N-CH 60V 240A D2PAK-7